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簡(jiǎn)要描述：VCSEL晶圓，850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應(yīng)用。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-10-09訪 問 量：2280產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 兩周 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
VCSEL晶圓 VIGO提供常見波長(zhǎng)的VCSEL外延，例如850nm，940nm，1550nm；也可提供結(jié)構(gòu)定制。可提供外延整片或者DIE；無論是處于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的概念階段，需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新升級(jí)，還是尋求開箱即用的解決方案。 我們都可以為客戶提供研發(fā)項(xiàng)目的技術(shù)支持，并提出新的方法和途徑來生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu)。
850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應(yīng)用。
厚度公差與規(guī)格<0.01%
載體濃度公差 <+/-10%
標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)公差<+/-5nm
反射率下降位置 <+/-3nm（不包括5mm邊環(huán)）
芯片的顯微鏡圖像：
芯片尺寸：
VCSEL，切割前的裸片，T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm
電光特性：
| PARAMETER | SYMBOL | TEST COND. | SAMPLE NO.21_1L |
| Emission wavelength | λR[nm] | POP=2.0mW | 854 |
| Threshold current | ITh [mA] | —— | 0.7 |
| Threshold voltage | VTH [V] | —— | 1.95 |
| Laser current | lop [mA] | POP=2.0mW | 2.63 |
| Laser voltage | Uop [V] | POP=2.0mW | 2.37 |
| Slope efficiency | ns [W/A] | —— | 1.02 |
| Output power | Popt [mW] | POP=6.0mW | 4.93 |
| Differential series resistance | Rs [2] | POP=2.0mW | 180 |
| Thermal resistance(VCSEL chip) | Rthremal[K/mW] | —— | 6.2-7.8 |
| Side mode suppression ratio | SMSR | POP=2.0mW | 25 |
| Wavelength tuning over temperature | [nm/K] | —— | 0.052 |
| Wavelength tuning over current | dλ/dl [nm/mA] | —— | 0.72-0.85 |
絕對(duì)最大額定值：
溫度：儲(chǔ)存（-40℃至120℃），工作（-20℃至110℃）
電氣：反向電壓（5V）CW電流（10mA），脈沖電流（7mA）
MQW的光致發(fā)光掃描
SIMS-二次離子質(zhì)譜
Si和C摻雜劑的分布。 DBR 和 QW 中的可見 Al(x)Ga(1-x)As 層/有源區(qū)中的勢(shì)壘
光譜特性
電光特性
面向光通信、3D視覺、人臉識(shí)別、原子鐘、磁強(qiáng)計(jì)、激光雷達(dá)、醫(yī)療醫(yī)美、AR/VR等等行業(yè)廠商的VCSEL外延需求。
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